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联芯双模基带芯片实现100Mbps下载速率

来源:互联网  发布日期: 2011年5月10日 10:05 

    摘要:如今,随着科技的进步,联芯科技推出了业界第一款TD-SCDMA/TD-LTE双模基带芯片,其峰值速率达到了100Mbps。

 

    如今,随着科技的进步,联芯科技推出了业界第一款TD-SCDMA/TD-LTE双模基带芯片,其峰值速率达到了100Mbps。

  据悉,联芯科技推出的是一款TD-LTE/TD-SCDMA双模基带芯片,型号为LC1760,采用MCU+DSP双核架构,支持TD-LTE/TD-SCDMA自动双模单待制式,解决了TD-SCDMA向TD-LTE平滑过渡的技术难题。

  该款芯片采用65纳米工艺,支持TD-SCDMA/TD-LTE双模,TD-SCDMA双频,TD-LTE双频,未来更可向多模扩展,支持下行100兆/秒、上行50兆/秒的数据吞吐率。

  目前,TD-LTE在全力推进规模试验网建设,但在终端芯片领域速度明显滞后,尤其是多模芯片更是欠缺。终端芯片滞后使得目前国内TD-LTE产业发展稍显失衡,这成为工信部和中移动急于解决的难题之一。

  早在2007年下半年,联芯科技的前身上海大唐移动已经启动HSPA+/LTE实验样机的可行性研究工作。 随后,联芯科技还承担了国家“十一五”重大专项——“新一代宽带无线移动通信”项目相关的各类课题的研究任务,包括LTE技术标准、LTE终端芯片与终端解决方案、LTE专业测试终端的开发与产业化等。

  从2008年开始,我国专门成立了由工信部电信研究院和中国移动为组长、副组长单位,共31家单位组成的TD-LTE工作组,全面实施TD-LTE测试验证,联芯科技也是其中重要的芯片企业。

  联芯科技此次研发成功的TD-LTE/TD-SCDMA双模基带芯片将利于解决TD-LTE芯片短缺的难题,其TD-LTE和TD-SCDMA双模自动切换特性,填补业界双模芯片领域的空白,同时其易于向三模制式演进,将满足工信部在该方面发展步骤的要求,必将为TD-LTE终端发展的总体进程提速。

  最近,TD-LTE规模试验网前期的入网测试中,只有两家芯片的身影,似乎没有联芯科技。对此,据业内人士透露,实际上,联芯,高通、中兴微电子、STE、以色列Altair公司都正在进行TD-LTE芯片测试,都将陆续进入工信部和中国移动共同组织的TD-LTE规模试验网测试。

  根据各厂商透露的消息,已经进入规模技术试验网测试的几个厂商多数已完成首次TD-LTE呼叫,而普天等几家厂商也即将进入建网和测试阶段。按照计划,所有的11家厂商均将参与规模技术试验网测试。



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